基于体硅工艺的定位平台制作工艺分析

• 作者: 孙立宁 李昕欣 王家畴 荣伟彬
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 体硅工艺 深度反应离子刻蚀 背片技术 面内侧面压阻 纳米级定位平台
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 微纳技术与精密机械
• 页码范围: 636-641
• 页数: 6页
• 分类号: TN305
• 字数: 2919字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2008.04.012

摘要

针对纳米定位平台的构型和定位精度问题,采用体硅加工技术成功地研制了一种基于单晶硅并带有位移检测功能的新型二自由度纳米级定位平台.介绍了定位平台的相关制作工艺,并对关键工艺进行了分析,总结了导致器件失效的主要原因,探讨了减少失效的方法.同时,提出了一种可行的面内侧面压阻加工方法.通过对深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺参数的调整,成功地刻蚀出大尺寸、大深宽比的结构释放窗口,释放了最小线宽为2.5 μm,厚度为50μm的梳齿结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王家畴	哈尔滨工业大学机器人研究所	10	92	6.0	9.0
2	荣伟彬	哈尔滨工业大学机器人研究所	98	1491	23.0	33.0
3	孙立宁	哈尔滨工业大学机器人研究所	379	7003	43.0	61.0
4	李昕欣		15	139	7.0	11.0