一种适合宽范围电容负载的三级运放

• 作者: Johan H. Huijsing 任俊彦 胡晶晶
• 来源期刊: 复旦学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 频率补偿 放大器 电容负载 相位裕度
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 82-88
• 页数: 7页
• 分类号: TN402|TN432|TN722
• 字数: 937字
• 语种: 中文

摘要

结合精确度和稳定性的要求提出了一种适合宽范围电容负载的CMOS运放.在多径嵌套式密勒补偿结构中加入一个抑制电容,得到适合各种电容负载的稳定性.为了证实稳定性的提高,对该结构进行了理论分析并计算得出数学表达式.基于这种新的频率补偿结构,利用CMOS 0.7 μm工艺模型设计了样品芯片.测试结果表明该运放可以驱动从100 pF到100 μF负载电容, 直流增益为90 dB,最小相位裕度为26°.该运放在100 pF负载情况下单位增益带宽为1 MHz,抑制电容仅为18 pF.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	任俊彦	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	116	450	11.0	14.0
2	胡晶晶	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	12	97	5.0	9.0