低能Ar离子束辅助沉积Cu、Ag、Pt薄膜

• 作者: 任琮欣 冯涛 柳襄怀 江炳尧
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 离子束辅助沉积 Cu、Ag、Pt薄膜 择优取向
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 10-14
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1|TG174.444
• 字数: 3796字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2008.01.003

摘要

采用低能Ar离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)衬底上分别沉积Cu、Ag、Pt薄膜.实验发现,若辅助轰击的Ar离子束沿衬底法线方向入射,当离子/原子到达比为0.2时,沉积的Cu膜呈(111)晶向,而Ag、Pt膜均呈(111)和(100)混合晶向.当辅助轰击的Ar离子束偏离衬底法线方向45°入射时,沉积的Cu、Ag、Pt膜均呈(111)择优取向.采用Monte Carlo方法模拟能量为500 eV的Ar离子入射单晶Ag所引起的原子级联碰撞过程,分别算得Ar离子入射单晶Ag(100)面、(111)面时,Ar离子的溅射率与入射角和方位角的关系.对离子注入的沟道效应和薄膜表面的自由能对薄膜择优取向的影响作了初步的探讨和分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柳襄怀	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	20	202	9.0	14.0
2	冯涛		6	18	3.0	4.0
3	任琮欣	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	4	30	4.0	4.0
4	江炳尧	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	5	21	3.0	4.0