K掺杂P型ZnO薄膜的制备及其表征

• 作者: 杨银堂 武军
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 薄膜 掺杂 射频 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 92-95
• 页数: 4页
• 分类号: TN304|O472
• 字数: 2450字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2008.01.017

摘要

以ⅠA族元素钾(K)作为掺杂剂,利用射频磁控溅射沉积技术,在单晶Si(111)衬底上成功生长了K:p-ZnO薄膜.采用Hall测试仪、X射线衍射、原子力显微镜和X射线光电谱等测试分析技术,对其结构和电学性能进行了研究.结果显示,该p-ZnO薄膜呈现良好的(002)单重择优生长特性,当衬底温度为500℃,氧分压为30%时表面粗糙度仅为89.05 nm,其相应的空穴浓度为5.45×1017/cm3,迁移率为1.96 cm2/(V·s),电阻率为5.91 Ω·cm,具有较好的结晶质量和电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	武军	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	18	2.0	2.0