离子注入制备P型SiC技术研究

• 作者: 贾护军 陈斌 黄雪峰
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 注入缺陷 退火 激活率
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 1601字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7820.2008.09.001

摘要

碳化硅是一种宽禁带半导体材料,适用于制作大功率器件,其材料的特点决定了碳化硅的掺杂需使用离子注入技术.然而,碳化硅P型注入仍存在许多问题,是当前研究的热点.文中在总结比较了国际该领域研究现状的基础上,分析讨论了各种碳化硅P型注入方法的优缺点,并指出了使用混合离子注入来改善注入层特性是今后制备P型SiC比较理想的技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾护军	西安电子科技大学微电子学院	25	131	7.0	10.0
2	黄雪峰	西安电子科技大学微电子学院	3	12	2.0	3.0
3	陈斌	西安电子科技大学微电子学院	7	56	4.0	7.0