MOS场效应管工作原理简介

• 作者: 刘冰
• 来源期刊: 家电维修（大众版）
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 电子课堂
• 页码范围: 50
• 页数: 1页
• 语种: 中文

摘要

MOS场效应管也被称为MOSFET,即Metal Oxide SemiconductorField Effect Tramistor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写,有耗尽型和增强型之分.增强型MOS场效应管(C-MOS管)内部结构如图1所示,分为NPN型和PNP型,NPN型常称为N沟道型,PNP型常称为P沟道型.N沟道的场效应管源极和漏极接在N型半导体上,P沟道的场效应管源极和漏极接在P型半导体上.