P沟道和N沟道MOS场效应管的辐照实验研究

• 作者: 徐曦 牟维兵
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 场效应管 吸收剂量 阈电压
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 粒子束及加速器技术
• 页码范围: 309-312
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1920字
• 语种: 中文

摘要

通过对P沟道MOS场效应管IRF9530和N沟道MOS场效应管IRF540N的X射线和钴源γ射线的辐照对比研究,发现两种场效应管阈值电压变化随吸收剂量近似成一阶指数衰减关系.产生这种现象的原因是场效应管氧化物中的空间俘获电荷与吸收剂量近似成线性变化,对阈值电压变化和吸收剂量有近似线性的改变;而界面态对空间电荷有补偿作用,其对阈值电压的改变与吸收剂量有近似成二次方的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐曦	中国工程物理研究院电子工程研究所	19	91	6.0	8.0
2	牟维兵	中国工程物理研究院电子工程研究所	15	51	4.0	6.0