总剂量辐照下沟道长度对部分耗尽绝缘体上硅p型场效应晶体管电特性的影响

• 作者: 刘红侠 卓青青 王倩琼 王志
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 总剂量辐照 阈值电压漂移 跨导退化 界面陷阱电荷
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 016102-1-016102-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.016102

摘要

本文通过实验研究了0.8μm PD (Partially Depleted) SOI (Silicon-On-Insulator) p 型Metal-oxide-semiconductor-field-effect-Transistor(MOSFET)经过剂量率为50 rad(Si)/s 的60 Co γ射线辐照后的总剂量效应，分析了沟道长度对器件辐照效应的影响.研究结果表明：辐照总剂量相同时，短沟道器件的阈值电压负向漂移量比长沟道器件大，最大跨导退化的更加明显.通过亚阈值分离技术分析得到，氧化物陷阱电荷是引起阈值电压漂移的主要因素.与长沟道器件相比，短沟道器件辐照感生的界面陷阱电荷更多.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	王倩琼	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	3	1.0	1.0
3	卓青青	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	9	33	4.0	5.0
4	王志	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	10	2.0	2.0