电化学刻蚀半导体的结构分析

• 作者: 申慧娟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电化学刻蚀 多孔硅 电流控制模型 晶格极化 形貌
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 97-99,113
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.12|TN304.23|TB383
• 字数: 2590字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.02.008

摘要

结合多孔硅(Si)、多孔砷化镓(GaAs)以及多孔磷化铟(InP)的不同孔形貌,综合分析了元素半导体硅及Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs、InP的刻蚀结构,系统地阐述了晶体结构在电化学刻蚀中的作用.化合物半导体由于存在晶格极化和各向异性,使得不同晶面的溶解速率或钝化速率不同,导致孔沿着溶解速率较大的方向生长,钝化速率较大的晶面成为孔壁,在一定程度上影响了孔的形状、大小及周期性排列等特征.用电流控制模型对不同孔的生长过程进行了较好的解释,进一步证明了晶体的结构特征对其产生的重要影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	申慧娟	仰恩大学信息与计算机学院电子工程系	1	2	1.0	1.0