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飞兆半导体推出40V P沟道MOSFET
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摘要：
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半导体飞片系统的计算机仿真
半导体飞片系统
计算机仿真
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半导体桥
电阻
几何尺寸
电阻率
掺杂浓度
温度
碳化硅MOSFET反型沟道迁移率的研究
碳化硅
界面态
反型沟道迁移率
阈值电压
p-n复合半导体光催化剂研究进展
光催化剂
p-n复合半导体光催化剂
p-n结光催化剂
光催化二极管
复合界面
内容分析
关键词云
关键词热度
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研究主题发展历程
节点文献
V
P沟道MOSFET
飞兆半导体
开关损耗
栅极电荷
快速开关
逆变器开关
技术制造
家庭娱乐
产品组合
热性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
CN：
开本：
16开
出版地：
南京市1601信箱43分箱（南京市中山东
邮发代号：
创刊时间：
1990
语种：
chi
出版文献量（篇）
5953
总下载数（次）
11
总被引数（次）
664
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