用于EBIT装置的小型MEVVA源及其离子注入实验

• 作者: 傅云清 朱丹峰 朱周侠 朱希恺 杜光天 胡伟 邹亚明 郭盘林
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: MEVVA离子源 电子束离子阱 离子注入
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 100-104
• 页数: 5页
• 分类号: TL503.3
• 字数: 2860字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2008.02.005

摘要

为给上海电子束离子阱(Electron Beam Ion Traps,EBIT)装置提供低电荷离子,我们研制了小型金属蒸汽真空弧(Metal Vapor Vacuum Arc,MEVVA)离子源,可产生多种金属以及半导体材料的低电荷离子.本文介绍小型MEVVA离子源的特性及其在上海EBIT装置上的离子注入实验.实验结果显示,合理控制注入参数可以使注入并被束缚在EBIT中的离子数密度达到108～109/cm3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡伟	复旦大学现代物理研究所	21	90	6.0	9.0
2	郭盘林	中国科学院上海应用物理研究所	8	82	4.0	8.0
3	邹亚明	复旦大学现代物理研究所	9	73	3.0	8.0
4	朱希恺	中国科学院上海应用物理研究所	6	9	2.0	2.0
5	杜光天	中国科学院上海应用物理研究所	2	0	0.0	0.0
6	朱丹峰	中国科学院上海应用物理研究所	1	0	0.0	0.0
7	朱周侠	中国科学院上海应用物理研究所	4	19	2.0	4.0
8	傅云清	复旦大学现代物理研究所	1	0	0.0	0.0