膜厚对Nd掺杂钙锶铋钛铁电薄膜结构及性能的影响

• 作者: 冯博楷 张丰庆 张伟 王培吉 范素华 马建平
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 钙锶铋钛薄膜 Nd掺杂 铁电性能 Sol-gel法 膜厚
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 466-470
• 页数: 5页
• 分类号: TM223
• 字数: 3138字
• 语种: 中文

摘要

采用Sol-gel法和层层快速退火工艺在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备了厚度不同Nd掺杂的钙锶铋钛(C0.4S0.6NT)铁电薄膜.研究了单层膜厚和总膜厚对于薄膜的(200)择优取向、显微结构及铁电性能的影响.发现:恰当的单层膜厚度,有助于薄膜(200)峰的择优取向和铁电性能;单层膜厚度约为60 nm,总厚度约为420 nm时,C0.4S0.6NT薄膜的,I(200)/[I(119)+I(001)]相对强度较大,a轴取向的晶粒较多,具有较好的铁电性能,剩余极化(Pr)和矫顽场(Ec)分别为13.251μC/cm2,85.248 kV/cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张丰庆	山东建筑大学材料科学与工程学院	42	185	8.0	11.0
2	冯博楷	山东建筑大学材料科学与工程学院	5	27	3.0	5.0
3	范素华	山东建筑大学材料科学与工程学院	34	191	8.0	11.0
4	张伟	山东建筑大学材料科学与工程学院	19	113	7.0	9.0
5	马建平	山东建筑大学材料科学与工程学院	9	34	4.0	5.0
6	王培吉	济南大学理学院	55	321	11.0	13.0