LiNbO3/SiO2/Si薄膜的蓝光发射

• 作者: 刘技文 刘莹 安玉凯 张澎丽 赵捷 马永昌
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 物理学
• 关键词: LiNbO3/SiO2/Si薄膜 SiO2层 光致发光
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 1063-1066
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2481字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2008.08.016

摘要

采用射频磁控溅射方法制备了LiNbO3/SiO2/Si薄膜.通过X射线衍射(XRD)、电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)和傅立叶变换红外吸收光谱(FT-IR)对薄膜的物相、晶体取向和成分进行了表征.采用荧光分光光度计研究了LiNbO3/SiO2/Si薄膜的光致发光.研究结果表明:在280 nm激发光的激发下,LiNbO3/SiO2/Si薄膜在室温下发射470 nm的蓝光,来源于LiNbO3薄膜与SiO2层界面处自捕获激子的辐射复合,发现在SiO2/Si薄膜上生长LiNbO3薄膜调制SiO2/Si薄膜的发光机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵捷	天津理工大学天津市光电显示材料与器件重点实验室	32	111	5.0	9.0
2	刘技文	天津理工大学天津市光电显示材料与器件重点实验室	25	91	5.0	8.0
3	安玉凯	天津理工大学天津市光电显示材料与器件重点实验室	8	11	2.0	3.0
4	刘莹	天津理工大学天津市光电显示材料与器件重点实验室	4	15	2.0	3.0
5	马永昌	天津理工大学天津市光电显示材料与器件重点实验室	8	8	2.0	2.0
6	张澎丽	天津理工大学天津市光电显示材料与器件重点实验室	2	11	2.0	2.0