英飞凌全新MOSFET系列

• 来源期刊: 电源技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: N沟道MOSFET 功率转换 导通电阻 股份公司 产品组合 开关损耗 功率密度 导体系
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 47
• 页数: 1页
• 分类号: TM44

摘要

英飞凌科技股份公司（FSE／NYSE：IFX）近日宣布推出三个全新的功率半导体系列，进一步丰富广博的OptiMOSTM3N沟道MOSFET产品组合。OptiMOS340V、60V和80V系列可在导通电阻等重要功率转换指标方面提供业内领先的性能，使其能够在采用标准TO（晶体管外形）封装的条件下，降低30％的功耗。OptiMOS340V、60V和80V系列具备较低的开关损耗和导通电阻，与其他竞争性解决方案相比，可增加高达30％的功率密度，使相关应用的组件数降低25％以上。