直立平板电极反应室中硅粉粒的表面刻蚀

• 作者: 尹盛 李战春 王敬义 赵亮
• 来源期刊: 华中科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子体 粉粒表面刻蚀 沉降时间 刻蚀速率
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 电子与信息工程
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3068字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2008.07.011

摘要

在直立平板电极鞘层内进行了硅粉表面刻蚀.使硅粉的纯度由99%提高到99.97%.提出了鞘区中离子和高能氩原子的平均能量和通量方程,建芷了包括高能中性粒子贡献的刎蚀速率计算式.实验和计算结果表明总的刻蚀速率可达到2.04×1015/(cm2·s)以上.文中还给出了反应区内粉粒沉降时间的方程和粉粒的收集判据.在一般工艺条件下,硅粉在反应区内的沉降时间为5～10 s,这意味着纯化目标必须经约40次循环才能实现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹盛	华中科技大学电子科学技术系	38	448	12.0	19.0
2	王敬义	华中科技大学电子科学技术系	17	44	4.0	5.0
3	李战春	华中科技大学网络与计算中心	20	126	7.0	10.0
4	赵亮	华中科技大学电子科学技术系	29	154	7.0	11.0