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摘要:
利用电子回旋共振CVD设备制备了一种硫系GeSbTe薄膜,并用纳米硬度计考察了其抗压性能,同时采用划痕实验以及摩擦力显微镜研究了GeSbTe薄膜的摩擦特性.结果表明:GeSb2Te4膜的微观抗载荷性能随着膜厚的增加而显著增强;对于90nm厚度的GeSb2Te4来说,施加1000霳左右的载荷所获得的硬度和弹性模量值受基体的影响较小,分别为2.07GPa、38.70GPa;湿度对Ge2Sb2Te5膜和针尖粘附的影响没有GeSb2Te明显,而且粘附力的存在会改变摩擦系数.
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文献信息
篇名 硫系薄膜的力学及摩擦性能研究
来源期刊 材料导报 学科 工学
关键词 GeSbTe膜 抗压性能 摩擦性能 相变存储
年,卷(期) 2008,(z3) 所属期刊栏目 纳米合成材料
研究方向 页码范围 38-40
页数 3页 分类号 TG174.44
字数 2461字 语种 中文
DOI
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1 聂德品 5 4 1.0 2.0
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GeSbTe膜
抗压性能
摩擦性能
相变存储
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相关学者/机构
期刊影响力
材料导报
半月刊
1005-023X
50-1078/TB
大16开
重庆市渝北区洪湖西路18号
78-93
1987
chi
出版文献量(篇)
16557
总下载数(次)
86
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