SOI高温压力传感器研究进展及应用

• 作者: 刘沁 唐惠 李新
• 来源期刊: 世界仪表与自动化
• 学科: 工学
• 关键词: 压力传感器 高温 SOI
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 24-26
• 页数: 3页
• 分类号: TP212

摘要

常规扩散硅压阻式压力传感器依靠PN结实现敏感电阻间的电学隔离，基于单晶硅良好的弹性形变性能和显著的压阻效应进行压力测试，以其特有的体积小、灵敏度高、工艺成熟等优点，成为应用最广泛的压力传感器。不过，当工作温度超过125℃时，电阻与衬底间的PN结漏电加剧，使传感器特性严重恶化以至失效，不能准确测量压力。因此，把能在高于125℃条件下工作的硅压阻式压力传感器，称为扩散硅高温压力传感器。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李新	沈阳工业大学信息科学与工程学院	60	231	9.0	12.0
2	唐惠		1	0	0.0	0.0