集成电路设计中利用填充金属优化压降的方法

• 作者: 王沛东 谢憬 郭炜
• 来源期刊: 电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 填充金属 压降 金属密度
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 技术研发
• 页码范围: 67-69
• 页数: 3页
• 分类号: TP3
• 字数: 3026字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2008.06.022

摘要

文章提出了一种在深亚微米集成电路设计中优化压降的创新方法,文中重点介绍了压降的成因及利用填充金属优化压降的方法,比如填充金属层次的优化选择、金属形状及方向的优化、目标密度的设置、时序控制等,使得优化后的压降有5%的降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢憬	上海交通大学微电子学院	49	118	6.0	9.0
2	郭炜	上海交通大学微电子学院	41	235	10.0	13.0
3	王沛东	上海交通大学微电子学院	1	5	1.0	1.0