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射频集成电路中的基片噪声耦合
射频集成电路中的基片噪声耦合
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摘要：
集成电路（IC）中基片噪声耦合是由干扰信号形成的，这些信号引起寄生电流在硅基片中向集成电路各个部分流动，并且以电压和电流有害电涌的形式存在。这些有害电涌和寄生电流的来源可能是在同一芯片上高速数字时钟的开关噪声。
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文献信息
| 篇名 | 射频集成电路中的基片噪声耦合 | ||
| 来源期刊 | 国外科技新书评介 | 学科 | 工学 |
| 关键词 | 射频集成电路 硅基片 声耦合 干扰信号 开关噪声 数字时钟 电流 寄生 | ||
| 年，卷（期） | gwkjxspj_2008,（10） | 所属期刊栏目 | |
| 研究方向 | 页码范围 | 12-13 | |
| 页数 | 2页 | 分类号 | TN432 |
| 字数 | 语种 | ||
| DOI | |||
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研究主题发展历程
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射频集成电路
硅基片
声耦合
干扰信号
开关噪声
数字时钟
电流
寄生
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期刊影响力
国外科技新书评介
主办单位：
中国科学院图书馆
出版周期：
月刊
ISSN：
CN：
开本：
出版地：
北京市海淀区中关村北四环西路33号
邮发代号：
创刊时间：
语种：
出版文献量（篇）
4046
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