插入生长AlGaAs薄膜对InAs量子点探测器性能的影响

• 作者: 刘昭麟 崔昊杨 张曙 李天信 杨宇 王茺 肖军 陆卫 陈平平
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InAs 量子点 AlGaAs薄膜 光致发光光谱 有效质量近似模型
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1155-1160
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4864字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.02.085

摘要

利用分子束外延生长获得的两个InAs量子点样品制备了n型的量子点红外探测器.对于其中一个器件,在InAs量子点有源区的底部和顶部分别插入生长了AlGaAs势垒层.利用透射电阻显微技术研究了两个样品的结构特性;利用光致发光光谱和光电流谱研究了两个器件的光电性质.实验结果表明,AlGaAs层的插入对器件的探测性质有显著的影响.利用有三维效质量近似模型的计算结果,指认了带内光电流谱中峰结构的起源.