恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率

• 来源期刊: 电源技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: LDMOS技术 功率效率 基站 突破性 金属氧化物半导体 半导体公司 功率晶体管
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 页码范围: 80
• 页数: 1页
• 分类号: TN948.53

摘要

日前，恩智浦半导体（NXP Semiconductor，由飞利浦成立的独立半导体公司）推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶体管，这是恩智浦应用其业界领先的第七代横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术的首款产品，专为高功耗和Doheay放大器应用进行了优化。恩智浦的第七代LDMOS技术可以实现目前功效最高的LDMOS解决方案，与上一代产品相比，功率密度提高了20％，