超结的击穿机理与特性分析

• 作者: 孙军 王彩琳 高勇
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 电力半导体器件 超结 击穿 电荷平衡 电场分布
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 其他有关研究和应用
• 页码范围: 1026-1029
• 页数: 4页
• 分类号: TN312+4|TN313+4
• 字数: 3223字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.03.075

摘要

利用ISE软件模拟了阻断状态下超结(SJ)的耗尽层与电场分布,从电场分布的角度解释了SJ的击穿机理.并分析关键参数,如P柱与n柱的宽度、浓度等变化对超结击穿电压的影响.结果表明,SJ的击穿机理与传统的圆柱型结不同,SJ的击穿并不发生在结面的拐点处.并且,通过调整边缘区域P柱或n柱的宽度和浓度来提高SJ器件耐压及其稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学电子工程系	189	1184	15.0	26.0
2	王彩琳	西安理工大学电子工程系	43	203	8.0	12.0
3	孙军	西安理工大学电子工程系	1	7	1.0	1.0