MOS晶体管技术

• 作者: 张云娟 牛宏亮
• 来源期刊: 国外电子元器件
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体管 高介电常数材料 器件结构 集成电路
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 20-21,24
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 2652字
• 语种: 中文

摘要

简要回顾MOS晶体管一些具有代表性的技术进展,分析了其在将来超大规模集成电路(ULSI)应用中的主要限制.从材料以及器件结构两个方向分别阐述了突破现有MOS技术而最有希望被将来ULSI工业所采用的新型晶体管技术.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛宏亮		6	2	1.0	1.0
2	张云娟		1	1	1.0	1.0