MOS场引晶体管双极理论和实验

• 作者: 揭斌斌 薩支唐
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单场引FET理论 双场引FET理论 MOSFET 同时存在空穴电子表面沟道和体积沟道 双栅 纯基FET理论
• 年，卷（期）: 2007,（10）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 1497-1502
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2005字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.10.001

摘要

提出场引晶体管双极理论.替代已55年久,1952 Shockley发明单极理论.解释近来双栅纳米硅MOS晶体管实验特性--两条电子和两条空穴表面沟道,同时并存.理算晶体管输出特性和转移特性,包括实用硅基及栅氧化层厚度.理算比较最近报道实验,利用硅FinFET,含(金属/硅)和(p/n)结,源和漏接触.实验支持双极理论.建议采用单管,实现CMOS倒相电路和SRAM存储电路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	揭斌斌		11	31	4.0	5.0