双极场引晶体管:Ⅱ.飘移扩散理论(双MOS栅纯基)

• 作者: 揭斌斌 薩支唐
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双极场引晶体管理论 MOS场引晶体管 双极结型晶体管 同时并存空穴电子表面沟道和体积沟道 表面势 横向电场的纵向梯度
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 1849-1859
• 页数: 11页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2261字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.12.001

摘要

本文描述双极场引晶体管(BiFET)飘移扩散理论,包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅(MOS)栅.把两维晶体管分解成两个一维晶体管,以表面势为参变量,得到解析方程.提供实用硅基和氧化层厚度范围内,随直流电压变化,输出和转移电流和电导总量和飘移扩散分量.显著部分的飘移电流来自横向电场平方的纵向梯度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	揭斌斌		11	31	4.0	5.0