双极场引晶体管:VI.CMOS电压倒相电路(双MOS栅纯基)

• 作者: 揭斌斌 薩支唐
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双极场引晶体管理论 表面沟道 体积沟道 CMOS倒相器 CMOS-BiFET
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 2079-2087
• 页数: 9页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.11.001

摘要

本文报告了硅互补金属氧化层硅(CMOS)电压倒相电路的直流稳态电压和电流转移特性和功率耗散.这电路用一只实际的、纳米尺度的双极场引晶体管(BiFET)实现.通过数字求解五个偏微分方程,可获得这些电学特性.方程是基于这种器件结构:在薄纯硅基层的两表面上各有一个MOS栅,在这薄基的两端都有电子和空穴接触.内部条件和CMOS边界条件用于三种势(静电势和电子及空穴电化学势).用一台装有Windows XP-PRO下的64位FORTRAN语言的双核个人计算机,快速地计算出一系列曲线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	揭斌斌		11	31	4.0	5.0