双极场引晶体管:I.电化电流理论(双MOS栅纯基)

• 作者: 揭斌斌 薩支唐
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双极场引晶体管理论 MOS场引晶体管 双极结型晶体管 同时并存空穴电子表面沟道 体积沟道 表面势
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 1661-1673
• 页数: 13页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 5748字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.11.001

摘要

本文描述双极场引晶体管(BiFET)及其理论.把两维晶体管分解成两个一维晶体管,得到解析方程.以表面势为参变量,采用电化(准费米)势梯度驱动力计算电流.提供实用电极直流电压及器件参数范围,随直流电压变化,输出和转移电流和电导.电子和空穴表面沟道同时存在,这新特点可以用来在单管实现CMOS电路倒相和SRAM存储电路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	揭斌斌		11	31	4.0	5.0