双极场引晶体管:Ⅴ.双极电化电流理论(双MOS栅纯基)

• 作者: 揭斌斌 薩支唐
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双极场引晶体管理论 递归循环 电子和空穴电化学势 静电势 边界条件
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 620-627
• 页数: 8页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3754字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.002

摘要

本文报告用双极场引晶体管(BiFET)电化电流解析理论计算的内禀结构直流特性,晶体管有两块等同MOS栅,纳米厚度纯硅基,没有产生复合和俘获.用交叉双路或Z形单路递归循环算法,很快得到三个势变量的数字解:静电势,电子和空穴电化学势,从而算出电子和空穴表面和体积沟道电流.三种势边界条件主导地影响内禀结构直流特性,用20个量级跨度电流说明.(10-22～10-2 A/口,迁移率400cm2/(V·s),1.5nm厚栅氧化层,30nm厚纯基)强表面沟道内载流子空间电荷限制飘移电流起主导作用,除此以外理论上还观察到,体积沟道物理夹断导致经典飘移电流饱和,因德拜长度(25μm)远大于器件尺寸(25nm),纯基内少量电子和空穴载流子屏蔽消失导致纯基内体积沟道完全切断.这种切断是从在1952 Shockley结栅场引晶体管理论中描述的非纯基体积沟道物理夹断推理而来.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	揭斌斌		11	31	4.0	5.0