U型凹槽电极硅MSM结构光电探测器的研制

• 作者: 余金中 李成 蔡加法 陈松岩 黄燕华
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 金属-半导体-金属结构 光电响应度 探测器
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 869-871,894
• 页数: 4页
• 分类号: TN365
• 字数: 2365字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2008.07.003

摘要

为了提高硅MSM结构光电探测器的光电响应度,制备了U型凹槽电极结构的探测器.5 V偏压下,对650 nm波长入射光的绝对光电响应度测试表明,凹槽电极结构的探测器最大光电响应度值为0.486 A/W,比同样尺寸的平版结构光电探测器提高了约6倍.文中也对比了具有抗反射膜和不具有抗反射膜的器件相对响应光谱的差别,并且比较分析了叉指间隙分别为5 μm和10 μm器件光电响应的不同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡加法	厦门大学物理系	27	107	6.0	8.0
2	陈松岩	厦门大学物理系	68	248	8.0	12.0
3	李成	厦门大学物理系	45	140	7.0	11.0
4	余金中	中国科学院半导体研究所	110	703	13.0	21.0
5	黄燕华	集美大学诚毅学院	8	28	2.0	5.0