高性能带隙基准源的分析与设计

• 作者: 刘宏 尹勇生 邓红辉
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: CMOS 带隙基准 温度补偿 失调电压
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 通信设备
• 页码范围: 89-91,96
• 页数: 4页
• 分类号: TN710
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2008.07.030

摘要

全面分析了CMOS带隙基准的主要非理想因素,给出了相应的补偿方法,并以此为基础设计了一种高精度的带隙基准源电路.该电路在SMIC 0.35 μm CMOS工艺条件下的后仿真结果表明.基准输出电压的温度系数为3.4 ppm/℃(-40～+125℃),电源抑制比为85 dB.此带隙基准源已应用于14位D、A转换器芯片中,并参加了MPW流片,该D/A转换芯片已经通过测试.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹勇生	合肥工业大学微电子设计研究所	46	284	10.0	14.0
2	邓红辉	合肥工业大学微电子设计研究所	38	139	6.0	10.0
3	刘宏	合肥工业大学微电子设计研究所	2	13	2.0	2.0