关于降低功率晶体管正向压降VF和提高芯片粘附强度的研究

• 作者: 董秋杰 顾志刚
• 来源期刊: 黑龙江科技信息
• 学科: 工学
• 关键词: 功率晶体管 芯片 粘附强度
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 科苑论谈
• 页码范围: 28,193
• 页数: 2页
• 分类号: TN3
• 字数: 2813字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1328.2008.03.031

摘要

主要阐述了功率晶体管背面多层金属化电极结构,通过降低硅-金属界面态电阻,采用热处理合金手段,进一步降低功率晶体管正向压降VF和热阻Rth增加芯片粘附强度.提高晶体管的可靠性指标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董秋杰		1	1	1.0	1.0
2	顾志刚		1	1	1.0	1.0