基于场效应晶体管的高压电脉冲产生技术

• 作者: 刘进元 刘鑫 张凤霞 杨方
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 高压脉冲 感应叠加 脉冲变压器
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 脉冲功率技术
• 页码范围: 2109-2112
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2021字
• 语种: 中文

摘要

以高速MOSFET器件为基础,对超快高压电脉冲产生技术进行了实验研究.采用多路并联的高速MOSFET与感应叠加相结合的形式,得到脉冲半宽度为300 ns、上升时间约为60 ns、时间间隔600 ns的超快方波双脉冲;在负载电阻为11.5Ω时,可以产生365 A的脉冲峰值电流,并且能够提供1.5 MW的峰值输出功率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘进元	深圳大学光电子学研究所	19	34	3.0	5.0
2	刘鑫	深圳大学光电子学研究所	9	33	4.0	5.0
3	张凤霞	深圳大学光电子学研究所	3	8	2.0	2.0
4	杨方	深圳大学光电子学研究所	2	6	1.0	2.0