SiO/SiO2超晶格结构界面发光的研究

• 作者: 何桢 王永生 王申伟 胡峰 衣立新
• 来源期刊: 光谱学与光谱分析
• 学科: 物理学
• 关键词: 超晶格 界面态 悬挂键 光致发光
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 页码范围: 1197-1200
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 2428字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3964/j.issn.1000-0593(2009)05-1197-04

摘要

利用热蒸发技术在硅衬底上制备了层厚不同的SiO/SiO2超晶格样品.对其光致发光谱进行研究发现,随着SiO/SiO2超晶格中SiO层厚度的增加,发光峰在400～600 nm之间移动.研究表明,样品的发光中心来自于SiO/SiO2界面处的缺陷发光(界面态发光).即在样品沉积的过程中,在SiO/SiO2的界面处由于晶格的不连续性,会形成大量的Si-O悬挂键,这些悬挂键本身相互结合可以形成一定数量的缺陷,同时由于O原子容易脱离Si原子的束缚而产生扩散,因此,这些悬挂键可以与扩散的O原子结合,随着SiO层厚度的增加,在SiO/SiO2的界面处先后出现WOB(O3<≡Si-O-O·),NOV(O3≡Si-Si≡O3),E'中心(O≡Si·),NBOHC(O3≡Si-O·)等缺陷,这些缺陷在SiO层厚度增大的过程中对发光先后起到主导作用,从而使得发光峰产生红移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王永生	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	53	252	9.0	13.0
2	王申伟	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	8	37	3.0	6.0
3	衣立新	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	11	40	3.0	6.0
4	何桢	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	2	7	1.0	2.0
5	胡峰	北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室	2	7	1.0	2.0