脉冲激光沉积法制备的Pb(Zr0.4Ti0.6)O3铁电薄膜漏电机理

• 作者: 刘保亭 孙杰 王玉强 赵庆勋 赵敬伟 陈剑辉 霍骥川
• 来源期刊: 河北大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: Pb(Zr0.4Ti0.6)O3 漏电机理 铁电薄膜 脉冲激光沉积
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 474-479
• 页数: 6页
• 分类号: O484
• 字数: 3638字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2009.05.008

摘要

利用准分子脉冲激光器在Pt/Ti/SiO2/Si(111)衬底上制备了Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT)铁电薄膜.利用掩膜技术,采用磁控溅射法在PZT薄膜上生长Pt上电极,构架了Pt/PZT/Pt铁电电容器异质结.采用X射线衍射和电容耦合测试技术分别表征了PZT铁电薄膜的微结构和电学性能.研究发现:在5 V的测试电压下,在560℃较低的沉积温度下生长的PZT薄膜电容器的剩余极化强度为187 C/m2、矫顽电压为2.0 V、漏电流密度为2.5×10-5A/cm2.应用数学拟合的方法研究了Pt/PZT/Pt的漏电机理,发现当电压小于1.22 V时,Pt/PZT/Pt电容器对应欧姆导电机理;当电压大于2.30 V时,对应非线性的界面肖特基传导(Schottky emission)机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈剑辉	河北大学物理科学与技术学院	10	43	4.0	6.0
2	刘保亭	河北大学物理科学与技术学院	84	302	10.0	13.0
3	赵庆勋	河北大学物理科学与技术学院	54	254	10.0	13.0
4	孙杰	河北大学物理科学与技术学院	8	16	3.0	3.0
5	霍骥川	河北大学物理科学与技术学院	3	12	1.0	3.0
6	赵敬伟	河北大学物理科学与技术学院	4	11	2.0	3.0
7	王玉强	河北大学物理科学与技术学院	4	8	2.0	2.0