离子注入对ITO薄膜电学特性的影响

• 作者: 王峥 王文文 郝维昌
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: In2O3∶Sn(ITO) 离子注入 热退火 电学特性
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 器件制备技术及器件物理
• 页码范围: 187-192
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 1161字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2009.02.007

摘要

对系列In2O3∶Sn (ITO)薄膜样品分别实施了不同剂量的Sn+, Ag+ 和Mo+离子注入并将它们在250 ℃下进行了热处理.利用霍耳测量研究了原始样品及注入和退火前后各样品的电学特性.研究了ITO薄膜的电学参数受离子注入的种类及剂量的影响.实验证明不同种类的离子注入会不同程度地降低ITO的导电性能,但热处理的效应与之相反.3种金属中,Sn+离子对薄膜造成的注入损伤最小,而高价的钼离子可以替换铟离子的位置成为施主,当注入剂量为1×1015 cm-2时,经过Mo+离子注入和后续退火的ITO薄膜,载流子浓度提高了14%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝维昌	北京航空航天大学理学院	44	459	11.0	20.0
2	王文文	北京航空航天大学理学院	20	103	5.0	9.0
3	王峥	北京航空航天大学理学院	12	268	5.0	12.0