X波段单级氮化镓固态放大器

• 作者: 冯辉 张进城 胡仕刚 郝跃 陈炽 马晓华
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 固态放大器模块 饱和输出功率 增益压缩 功率附加效率
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 页码范围: 1039-1043
• 页数: 5页
• 分类号: TN325~+.3
• 字数: 3858字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2009.06.015

摘要

利用自主研制的SiC衬底的栅宽为2.5 mm的AlGaN/GaN HEMT器件,设计完成了单级X波段氮化镓固态放大器模块.模块由AlGaN/GaN HEMT器件、偏置电路和微带匹配电路构成.采用金属腔体和测试夹具,保证在连续波下具有良好的接地和散热性能.利用双偏置电路馈电,并且采用独特的电容电阻网络和栅极串联电阻消除了低频和射频振荡.利用微带短截线完成了器件的输入输出匹配.在8GHZ频率及连续波情况下(直流偏置电压为V_(ds)=27V,U_(gs)=-4.0V),放大器线性增益为5.6 dB,最大效率为30.5%,输出功率最大可达40.25 dBm(10.5W),此时增益压缩为2 dB.在带宽为500 MHz内,输出功率变化为1 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	马晓华	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	40	140	7.0	8.0
3	张进城	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	52	301	9.0	14.0
4	冯辉	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	10	70	6.0	8.0
5	陈炽	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	16	2.0	3.0
6	胡仕刚		3	22	3.0	3.0