Cu2S阻性存储薄膜的制备及开关特性研究

• 作者: 张九如 殷江
• 来源期刊: 南京大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 固体电解质 薄膜 阻变开关
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 先进材料测试及表征专栏
• 页码范围: 218-222
• 页数: 5页
• 分类号: TQ320.72|O646
• 字数: 2162字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0469-5097.2009.02.018

摘要

采用脉冲激光沉积(PLD)方法于室温下在Pt/TiO2/SiO2/Si(111)及高导电的Si(111)衬底上制备了Cu2S固体电解质薄膜,后经X-射线衍射、原子力显微技术对薄膜的晶体结构和表面形貌进行了表征.通过400℃退火的Cu2S薄膜在Pt/TiO2/SiO2/Si(111)衬底上取向生长,而在高导电性Si(111)衬底上则无取向生长.最好用聚焦离子束刻蚀技术及PLD方法制备了Cu/Cu2S/Pt及Cu/Cu2S/Si(111)记忆单元,这些记忆单元都显示了较好的电阻开关特性,但是在不同衬底上制备的记忆元的"关态"与"开态"的电阻比表现出较大的差异,这些差异被归结为非反应电极与Cu2S薄膜间的不同界面性质所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷江	南京大学物理系	9	81	2.0	9.0
2	张九如	江苏大学理学院	15	34	3.0	5.0