一种高性能CMOS采样/保持电路

• 作者: 刘云峰 刘民杰 池保勇 董景新
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 互补型金属氧化物半导体 采样/保持电路 电容翻转结构 栅压自举开关 跨导放大器
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 微电子器件与技术
• 页码范围: 700-704
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2380字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.11.012

摘要

提出了一种高性能CMOS采样/保持电路,它采用全差分电容翻转型的主体结构有效减小了噪声和功耗.在电路设计中提出了新型栅源电压恒定的自举开关来极大减小非线性失真,并同时有效抑止输入信号的直流偏移.该采样/保持电路采用0.18μm 1P-6M CMOS双阱工艺来实现,在1.8 V电源电压、32 MHz采样速率下,输入信号直到奈奎斯特频率时仍能达到86.88 dB的无杂散动态范围(SFDR),电路的信号噪声失真比(SNDR)为73.50 dB.最后进行了电路的版图编辑,并对样片进行了初步测试,测试波形表明,电路实现了采样保持的功能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	池保勇	清华大学微电子研究所	40	271	9.0	15.0