前驱体中Bi含量对Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜结构和性能的影响

• 作者: 付承菊 李杰 郭冬云 黄志雄
• 来源期刊: 中国科学E辑
• 关键词: 铁电性能 Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜 Sol-gel法 Bi含量
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 156-160
• 页数: 5页
• 语种: 中文

摘要

分别配制了Bi含量为90,100和110 mole%的前驱体,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜,研究前驱体中Bi含量对其微观结构和铁电性能的影响.前驱体中Bi含量增加可以有效地改善薄膜的结晶性能和表面形貌.对Pt/Bi3.4Ceo.6Ti3O12/Pt电容结构进行电学性能测量,发现Bi过量10%的前驱体制备的Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜具有较好的性能:室温下,在测试频率1 kHz时,其介电常数为172,介电损耗为0.033;在测试电场为600 kV/cm时,其剩余极化值(2Pr)和矫顽电场(2Ec)分别达到67.1μC/cm2和299.7 kV/cm;同时还表现出良好的抗疲劳特性和绝缘性能.