硅晶片热氧化前的清洗技术探索

• 作者: 任耀华 康冬妮 银万根
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 硅晶片 热氧化 沾污 清洗
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 本期专题(硅片制造工艺与设备)
• 页码范围: 13-15,40
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.97
• 字数: 3554字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2009.08.003

摘要

阐述了硅晶片表面的各种沾污对热氧化生长的氧化膜质量的影响.进行了数组热氧化前硅晶片表面沾污清洗的实验,分析清洗液浓度、温度、超声等因素对清洗效果的影响.在显微镜下观察试验结果,对清洗后硅晶片表面出现的微粗糙度、蚀点及损伤等情况做了详细分析,并对引起这些情况的因素重新制定考察水平,进行优化改进,得到最佳的清洗效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	康冬妮	中国电子科技集团公司第二研究所	8	10	2.0	2.0
2	任耀华	中国电子科技集团公司第二研究所	7	11	2.0	3.0
3	银万根	中国电子科技集团公司第二研究所	3	3	1.0	1.0