CdTe多晶薄膜的同质结与异质结

• 作者: 王宏臣
• 来源期刊: 光电技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: CdTe多晶薄膜 同质CdTe结 异质CdTe结 CdTe太阳电池
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 光电器件与材料
• 页码范围: 44-46
• 页数: 3页
• 分类号: TK519
• 字数: 1706字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1255.2009.02.012

摘要

衬底温度对CVD生长CdTe多晶薄膜导电性能有决定性影响,衬底温度高于560℃为p型,衬底温度愈高,空穴浓度愈大;低于520℃为n型,在一定温度范围内,衬底生长温度越低,电子浓度越大.采用CVD方法先在高温下生长p型CdTe膜,然后在较低温度下生长n型CdTe膜,首次研制了同质p-n结二极管.又采用在高温下先生长p-CdTe膜,然后在室温环境下暴露在空气中氧化,经数周后产生CdO和TeO2氧化层,再溅射ITO膜,制成n-ITO/i/p-CdTe异质结太阳能电池,与无氧化处理的n-ITO/p-CdTe比较,光电转换效率有明显提高.