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摘要:
采用脉冲激光沉积技术(PLD),在MgO单晶平衬底上制备了SrNb0.2Ti0.8O3(SNTO)薄膜,两者的失配度约为5.7%.X射线衍射分析表明:在沉积温度为850℃,沉积氧压为50 Pa,沉积速度为2Hz/s的情况下,薄膜可以近外延的生长;实验还发现,随着退火氧压的减小,薄膜的电阻减小,(002)特征峰的强度也随之变弱,至1×10-3 Pa时,薄膜的(002)特征峰消失.从而摸索出在MgO衬底上制备SNTO导电薄膜的最佳条件.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 在大晶格失配的MgO衬底上生长SrNb0.2 Ti0.8O3薄膜
来源期刊 云南化工 学科 工学
关键词 PLD 失配度 氧压 导电薄膜
年,卷(期) 2009,(6) 所属期刊栏目 探索应用
研究方向 页码范围 24-26
页数 3页 分类号 TB32
字数 2230字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-275X.2009.06.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张鹏翔 昆明理工大学光电子新材料研究所 148 1293 19.0 28.0
2 李勇 昆明理工大学光电子新材料研究所 72 533 13.0 21.0
3 张辉 昆明理工大学光电子新材料研究所 66 154 6.0 8.0
4 刘婷 昆明理工大学光电子新材料研究所 7 9 2.0 2.0
5 董瑞光 昆明理工大学光电子新材料研究所 2 2 1.0 1.0
6 马维云 昆明理工大学光电子新材料研究所 2 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
PLD
失配度
氧压
导电薄膜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
云南化工
月刊
1004-275X
53-1087/TQ
大16开
昆明市滇池路1417号云天化集团科技楼
1970
chi
出版文献量(篇)
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总被引数(次)
13197
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