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在大晶格失配的MgO衬底上生长SrNb0.2 Ti0.8O3薄膜
在大晶格失配的MgO衬底上生长SrNb0.2 Ti0.8O3薄膜
作者:
刘婷
张辉
张鹏翔
李勇
董瑞光
马维云
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
PLD
失配度
氧压
导电薄膜
摘要:
采用脉冲激光沉积技术(PLD),在MgO单晶平衬底上制备了SrNb0.2Ti0.8O3(SNTO)薄膜,两者的失配度约为5.7%.X射线衍射分析表明:在沉积温度为850℃,沉积氧压为50 Pa,沉积速度为2Hz/s的情况下,薄膜可以近外延的生长;实验还发现,随着退火氧压的减小,薄膜的电阻减小,(002)特征峰的强度也随之变弱,至1×10-3 Pa时,薄膜的(002)特征峰消失.从而摸索出在MgO衬底上制备SNTO导电薄膜的最佳条件.
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文献信息
篇名
在大晶格失配的MgO衬底上生长SrNb0.2 Ti0.8O3薄膜
来源期刊
云南化工
学科
工学
关键词
PLD
失配度
氧压
导电薄膜
年,卷(期)
2009,(6)
所属期刊栏目
探索应用
研究方向
页码范围
24-26
页数
3页
分类号
TB32
字数
2230字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1004-275X.2009.06.008
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
张鹏翔
昆明理工大学光电子新材料研究所
148
1293
19.0
28.0
2
李勇
昆明理工大学光电子新材料研究所
72
533
13.0
21.0
3
张辉
昆明理工大学光电子新材料研究所
66
154
6.0
8.0
4
刘婷
昆明理工大学光电子新材料研究所
7
9
2.0
2.0
5
董瑞光
昆明理工大学光电子新材料研究所
2
2
1.0
1.0
6
马维云
昆明理工大学光电子新材料研究所
2
2
1.0
1.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
(0)
参考文献
(9)
节点文献
引证文献
(1)
同被引文献
(76)
二级引证文献
(0)
1997(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
1998(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
2000(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
2002(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2006(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2007(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2009(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2010(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
PLD
失配度
氧压
导电薄膜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
云南化工
主办单位:
云南省化工研究院
云天化集团有限责任公司
云南煤化工集团有限公司
云南省化学化工学会
出版周期:
月刊
ISSN:
1004-275X
CN:
53-1087/TQ
开本:
大16开
出版地:
昆明市滇池路1417号云天化集团科技楼
邮发代号:
创刊时间:
1970
语种:
chi
出版文献量(篇)
6365
总下载数(次)
17
总被引数(次)
13197
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