退火温度对Tb催化GaN纳米棒的影响

• 作者: 石鑫 薛成山 陈金华
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 纳米棒 退火温度 催化剂 晶体生长
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 660-663
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23|TB383
• 字数: 1877字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.11.004

摘要

用稀土金属铽(Tb)作催化剂,通过磁控溅射和退火氨化法成功制备出大量单晶GaN纳米棒,并研究退火温度对GaN纳米棒表面形貌、晶体质量和发光特性的影响.扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)测试结果显示,随着退火温度的升高,纳米棒的直径和长度增大,结晶质量先变好后变差,PL测试发现了位于369 nm处的强发光峰和387 nm处的弱发光峰,其发光强度随退火温度的升高先增强后减弱,发光峰的位置并不改变,进而得出了制备GaN纳米棒的最佳退火温度为950℃.利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对950℃下制备的样品进行检测,结果显示样品为六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米棒.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
2	石鑫	镇江机电高等职业技术学校信息电子工程系	2	2	1.0	1.0
3	陈金华	镇江机电高等职业技术学校信息电子工程系	1	0	0.0	0.0