氢化非晶硅薄膜H含量控制研究进展

• 作者: 刘玉岭 周建伟 张伟 张进 杨玉楼 赵之雯
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氢化非晶硅 光敏材料 H含量 红外光谱 反应机理
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 667-672
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.12
• 字数: 4293字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.11.006

摘要

氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)是目前重要的光敏材料,而薄膜中的H含量及组态对薄膜的稳定性有着极其重要的影响.介绍了H对薄膜稳定性影响的原理,提出了控制薄膜中的H含量的必要性.分析了H在H稀释硅烷法制备氢化非晶硅中的作用,论述了制备工艺中衬底温度、H稀释比、气体压强等对薄膜H含量的影响及其机理,并对用不同方法控制H含量的优缺点进行了比较,分析了通过以上三种方法控制薄膜H含量的局限性.探寻了控制薄膜H含量的新方法,并对该领域的发展方向进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子技术与材料研究所	263	1540	17.0	22.0
2	赵之雯	河北工业大学微电子技术与材料研究所	9	106	5.0	9.0
3	周建伟	河北工业大学微电子技术与材料研究所	40	197	8.0	11.0
4	张伟	河北工业大学微电子技术与材料研究所	50	256	10.0	12.0
5	杨玉楼	河北工业大学微电子技术与材料研究所	2	20	2.0	2.0
6	张进	河北工业大学微电子技术与材料研究所	9	43	3.0	6.0