氢化非晶硅薄膜的热导率研究

• 作者: 吴志明 廖乃镘 李世彬 李伟 蒋亚东 袁凯
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶硅 热导率 薄膜 热能
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 3126-3131
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3575字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.080

摘要

采用铂电极为加热电阻,研究了厚度为300-370nm等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的热导率随衬底温度的变化规律.用光谱式椭偏仪拟合测量薄膜的厚度,得到了沉积速率随衬底温度变化规律,傅里叶红外(FTIR)表征了在KBr晶片衬底上制备的a-Si:H薄膜的红外光谱特性,SiH原子团键合模的震动对热量的吸收降低了薄膜热导率.从动力学角度分析了薄膜热导率随平均温度升高而增大的原因,并比较了声子传播和自由电子移动在a-Si:H薄膜热导率变化上的作用差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴志明	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	78	544	13.0	17.0
2	李伟	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	75	359	10.0	14.0
3	袁凯	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	22	200	9.0	13.0
4	李世彬	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	9	91	6.0	9.0
5	廖乃镘	电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	8	66	5.0	8.0