Ru2Si3电子结构及光学性质的第一性原理计算

• 作者: 崔冬萌 李旭珍 谢泉 赵凤娟 陈茜
• 来源期刊: 中国科学G辑
• 关键词: Ru2Si3 第一性原理 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 凝固态物理学
• 页码范围: 1431-1438
• 页数: 8页
• 语种: 中文

摘要

采用基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法系统地计算了正交相Ru2Si3的电子结构、态密度和光学性质,计算结果表明Ru2Si3是一种直接带隙半导体,禁带宽度为0.51 eV;其能态密度主要由Ru的4d层电子和Si的3p层电子的能态密度决定;静态介电函数ε1(0)=16.83;折射率,no=4.1025;吸收系数最大峰值为2.8×105cm-1;并利用计算的能带结构和态密度分析了Ru2Si3材料的介电函数、反射谱、折射率以及消光系数等光学性质,为Ru2Si3光电材料的设计与应用提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉		133	486	12.0	17.0
2	陈茜		45	194	9.0	12.0
3	崔冬萌		12	34	3.0	5.0
4	赵凤娟		12	49	3.0	7.0
5	李旭珍		4	15	1.0	3.0