Si基外延Ru_2Si_3电子结构及光学性质研究

• 作者: 崔冬萌 李旭珍 谢泉 赵凤娟 陈茜
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 外延 第一性原理 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2027-2032
• 页数: 6页
• 分类号: O6
• 语种: 中文

摘要

采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为Ru_2Si_2(100)//Si(001),取向关系为Ru_2Si_3[010]//Si[110]正交相的Ru_2Si_3平衡体系下的能带结构、态密度和光学性质等进行了理论计算.计算结果表明:当晶格常数a取值为1.093 nm时,正交相Ru_2Si_3处于稳定状态并且是具有带隙值为O.773 eV的直接带隙半导体;其价带主要是由Ru的4d态电子构成;导带主要是由Ru的4d态电子及Si的3p态电子构成;静态介电常数ε_1(0)为18.91;折射率n_0为4.349.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	133	486	12.0	17.0
2	陈茜	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	45	194	9.0	12.0
3	崔冬萌	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	12	34	3.0	5.0
4	赵凤娟	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	12	49	3.0	7.0
5	李旭珍	贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所	4	15	1.0	3.0