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摘要:
在对纳米遂穿结(SETJ)及单电子晶体管(SET)的特性进行分析的基础上,笔者采用等效电路的方法,提出了基于压控单元的SET宏模型,仿真得到单电子晶体管的特性曲线.通过器件仿真的输出特性曲线与理想特性曲线的对比,得出曲线的走势与理想曲线基本一致,偏差不大.并且通过计算表明,数值的精度在合理范围内,验证了模型的合理性.
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文献信息
篇名 基于压控单元的单电子晶体管宏模型
来源期刊 吉首大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 等效电路 宏模型 纳米遂穿结 单电子晶体管
年,卷(期) 2009,(6) 所属期刊栏目 物理与信息工程科学
研究方向 页码范围 63-65
页数 3页 分类号 TN32|TN710.2
字数 1535字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-2985.2009.06.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 曾健平 湖南大学物理与微电子科学学院 90 672 12.0 22.0
2 曾云 湖南大学物理与微电子科学学院 102 899 13.0 27.0
3 周少华 22 121 7.0 10.0
5 杨红官 湖南大学物理与微电子科学学院 28 95 6.0 7.0
8 熊琦 24 49 4.0 6.0
9 戴大康 湖南大学物理与微电子科学学院 5 13 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
等效电路
宏模型
纳米遂穿结
单电子晶体管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
吉首大学学报(自然科学版)
双月刊
1007-2985
43-1253/N
大16开
湖南省吉首市
1980
chi
出版文献量(篇)
2943
总下载数(次)
1
总被引数(次)
10461
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