SiC沉积的机理研究

• 作者: 乔生儒 张程煜 李玫 韩栋
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 化学气相沉积 沉积机理 液滴
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文,中文
• 页码范围: 1624-1627
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2009.10.006

摘要

在石墨基底上采用低压化学气相沉积法沉积SiC,沉积室是热壁.H2载气通过鼓泡法将三氯甲基硅烷(methyltrichlorosilane,MTS)送入沉积室,沉积基底的面积和沉积室的体积比为1×10-2mm-1.沉积参数为:压力5kPa,温度1 100℃,H2的流量为150mL/min,气相成分中H2和MTS的流量比为10.结果表明:较大的液态聚基体表面能低,小液滴在大液滴表面沉积.H2流量小时,小液滴沿大液滴的生长锥顶部环状沉积,各生长锥问有间隙.H2流量增加时,小液滴无序的分散在大液滴的表面上.据此提出了一种可能的SiC的沉积和生长机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔生儒	西北工业大学超高温结构复合材料国家重点实验室	107	852	15.0	21.0
2	韩栋	西北工业大学超高温结构复合材料国家重点实验室	40	334	12.0	16.0
3	李玫	西北工业大学超高温结构复合材料国家重点实验室	26	174	7.0	12.0
4	张程煜	西北工业大学超高温结构复合材料国家重点实验室	38	230	9.0	13.0