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摘要:
在双极晶体管界面材料辐照损伤机理及缺陷产生微观机制分析的基础上,结合缺陷与电参量及1/f噪声参量之间的关系,建立了辐照损伤的1/f噪声模型.通过讨论噪声与晶体管可靠性之间的关系,探讨所建立的噪声模型用于双极晶体管辐射表征的方法的可靠性.结果表明此方法为晶体管的可靠性筛选,提供了理论依据.
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文献信息
篇名 基于界面材料损伤的晶体管辐射噪声表征模型
来源期刊 电子科技 学科 工学
关键词 晶体管 辐照损伤 缺陷 1/f噪声模型
年,卷(期) 2009,(6) 所属期刊栏目 光电·材料
研究方向 页码范围 75-77
页数 3页 分类号 TN305
字数 2558字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-7820.2009.06.022
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杜磊 西安电子科技大学技术物理学院 99 486 13.0 18.0
2 何亮 西安电子科技大学技术物理学院 36 212 7.0 14.0
3 陈伟华 西安电子科技大学技术物理学院 6 58 3.0 6.0
4 张雪 西安电子科技大学技术物理学院 2 38 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
晶体管
辐照损伤
缺陷
1/f噪声模型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子科技
月刊
1007-7820
61-1291/TN
大16开
西安电子科技大学
1987
chi
出版文献量(篇)
9344
总下载数(次)
32
总被引数(次)
31437
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